특허/실용신안
특허 기본정보
반도체 박막 증착을 위한 개선된 프로세스
특허 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 |
| 출원번호 | 10-2003-7010623 |
| 출원일자 | 2003-08-12 |
| 공개번호 | 20080609 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 화학기상증착 공정이 화학 전구체로서 고차의 실란과 게르마늄 전구체를 이용하다. 상기 공정은 높은 증착률을 가지며, 조성과 두께 모두에서 종래의 화학 전구체를 사용하여 마련된 박막보다 균일한 박막을 생산한다. 바람직한 실시예에서는, 트리실란이 SiGe 함유SiGe 함유착하기 위해 채용되며, 이것은 반도체 산업에서 트랜지스터 게이트 전극처럼 다양하게 응용된다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020037010623 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | |
| 주제어 (키워드) |