특허/실용신안 이전페이지로 이동 다음페이지로 이동 특허 기본정보 반도체 박막 증착을 위한 개선된 공정 특허 개요 특허 개요 기관명 NDSL 출원인 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 출원번호 10-2003-7010622 출원일자 2003-08-12 공개번호 20080509 공개일자 2011-04-06 등록번호 10-1027485-0000 등록일자 2011-03-30 권리구분 KPTN 초록 화학기상증착 공정이 얇은 박막이 질량 전달 제어 지배기간이나 그 근처에서 증착되는 것을 허용하는 화학 전구체를 이용한다. 상기 공정은 높은 증착률을 가지며, 조성과 두께 모두에서 종래의 화학 전구체를 사용하여 마련된 박막보다 균일한 박막을 생산한다. 바람직한 실시예에서는, 트리실란이 실린콘을 포함하는 얇은 박막을 증착하기 위해 채용되며, 이것은 반도체 산업에서 트랜지스터 게이트 전극처럼 다양하게 응용된다. 원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020037010622 첨부파일 추가정보 추가정보 과학기술표준분류 ICT 기술분류 IPC분류체계CODE 주제어 (키워드) 목록
