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특허 실용신안

특허/실용신안

특허 기본정보

레이저 플라즈마X선원과 그것을 사용한 반도체 노출장치 및 반도체 노출방법

특허 개요

특허 개요
기관명 NDSL
출원인 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
출원번호 10-1998-0002877
출원일자 1998-02-03
공개번호 20080509
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 레이저광을 타겟에 조사해서 플라즈마를 생성하고 그 프라즈마에서 X선을 발생시키는 레이저플라즈마X선원에 관한 것으로서, 레이저플라즈마의 발생에 따른 팽창압력에 의해 용융한 부분이 비산해서 파편이 발생하고 진공용기내의 광학소자 등에 부착해서 손상을 입힌다는 문제점을 해결하기 위해서, 레이저광을 타겟에 조사해서 플라즈마를 생성하고, 그 플라즈마에서 X선을 발생시키는 레이저플라즈X선원에 있어서, 타겟은 입자와 기체를 혼합한 것이고 타겟을 분사하는 타겟분사장치와 레이저광을 분사된 타겟에 조사하는 레이저조사장치를 구비하고, 입자의 직경은 타겟에 조사되는 레이저광의 직경보다 작고 기체는 희가스이며, 입자는 저융점의 금속이고, 타겟은 각각의 특성X선의 파장이 대략 동일한 금속입자와 희가스의 혼합체로 구성하였다. 이렇게 하는 것에 의해서, 입자의 용융이 일어나지 않으므로 파편의 발생을 적게 할 수 있고 또 입자만의 타겟 및 기체만의 타겟보다 X선변환효율이 좋으며, 레이저펄스에 대해 항상 타겟이 공급되므로 X선을 안정하게 발생시킬 수 있다는 효과가 얻어진다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1019980002877
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ICT 기술분류
IPC분류체계CODE
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