반도체 전력소자의 스위칭 시간 특성을 불순물 확산에 의해 얻어지는 웨이퍼 내부의 라이프 타임 킬러에 의해 결정된다. 본 발명은 반도체 전력소자의 스위칭 시간 결정용 라이프 타임 킬러로 사용될 금속불순물 확산시, 실리콘 웨이퍼의 뒷면에 금속불순물(Au, Pt)을 진공증착한 후, 1000℃의 질소 분위기하에서 RTP(30-300초)를 이용한 급속 열확산 공정을 실행하여, 실리콘 웨이퍼 내부에 금속불순물을 전력소자의 활성영역으로 사용될 기판 앞면까지 도달시키는 것으로, 라이프 타임 킬러로 사용하기 위한 금속불순물 농도를 쉽게 제어할 수 있게 된다.
