반도체 제조장치의 처리챔버내에 부착 또는 퇴적하는 반응생성물의 양 또는 과학적 조성을 챔버를 대기 개방하는 일 없이 측정하는 장치 및 방법에 있어서, 처리챔버내에 광파이버 등의 광도입수단에 의하여 적외광 등의 광을 광도입부로부터 처리챔버내로 도입하고, 처리챔버내의 특정개소에서 반사한 광, 또는 장소를 특정하지 않으나 처리챔버내에서 반사한 광을 처리챔버밖에 설치한 수광부를 수광하고, 분광 또는 광량측정을 실행함으로써 반응생성물에 의한 용기의 오염이나 프로세서의 상태를 판정한다.
