논문
논문 기본정보
반도체 장치의 결함해석
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 저널명 | 에너지공학 = Journal of energy engineering |
| ISSN | 1598-7981, |
| ISBN |
논문 개요
| 저자(한글) | 박석준,최성배,오창섭 |
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| 저자(영문) | |
| 소속기관 | |
| 소속기관(영문) | |
| 출판인 | |
| 간행물 번호 | |
| 빌행연도 | 2016-01-01 |
| 초록 | 새로운 재료가 개발되어 점점 반도체 디바이스의 적용으로 인해 반도체 장치 구조의 미세화를 촉진하고 있고 반도체 디바이스의 제조공정에서는 초기불량이나 일정시간 가동 후의 고장이 끊이지 않고 발생하고 있어 그 결함에 대한 해석은 날이 갈수록 중요해지고 있다. 여기서는 반도체 디바이스의 전기적 고장 검출과 디바이스 결함부의 물리해석에 대해 서술한다. 물리해석에는 주사전자현미경이나 투과전자현미경, 집속이온빔가공장치와 같은 전자나 이온을 이용한 장치가 사용되는데 여기서는 그 사용기술과 특성에 대해 서술하고자 한다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NART&cn=JAKO201614137728261 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| DDC 분류 | |
| 주제어 (키워드) | 반도체 디바이스 반도체 결함해석 주사전자현미경 투과전자현미경 집속이온빔 semiconductor device fault analysis of semiconductor SEM TEM FIB |