장비
장비 기본정보
에처
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | ㈜맥시스 |
| 모델명 | Maxis 200 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2009-08-21 |
| 취득금액 |
장비 개요
| 보유기관명 | 서울테크노파크 |
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| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C510 |
| 표준분류명 | 시험·검사장비 |
| 시설장비 설명 | 동작원리 : 유도 결합형 플라즈마 식각으로, 코일을 플라즈마가 발생 될 수 있는 가스 주변에 놓아서 이 코일에 고주파 전력을 가하여 발생된 시간에 따라 변화하는 전기장이 챔버 내부에 침투하게 되며, 이 전기장을 이용하여 코일에 가하는 전력이 챔버 내부에 플라즈마를 발생시킨다 이러한 플라즈마를 소스원으로 하는 반응이온 식각공정 장비임. 결합 이온화 원자와 반응 가스를 다양한 반도체, 금속, 산화물, Nitrides 및 기타 재료를 에칭하는 능력의 플라즈마를 만드는 고주파 에너지를 (RF) 이용한 드라이 에칭 장비임. |
| 장비이미지코드 | http://www.zeus.go.kr/storage/images/equip/photo/.thumb/XWgl0MgiixDyKj7RAvVL_w600.jpg |
| 장비위치주소 | 서울테크노파크 OPEN FAB104-2 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2011-01-137974 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-seoultp-00047 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |