디스플레이 디바이스들에서 활용되는 지르코늄 산화물을 포함하는 하이브리드 하이-k 유전체 재료 막 스택들
특허 개요
특허 개요
기관명
NDSL
출원인
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
출원번호
10-2020-7028059
출원일자
2020-09-28
공개번호
20201015
공개일자
0000-00-00
등록번호
등록일자
0000-00-00
권리구분
KUPA
초록
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 디스플레이 애플리케이션들을 위한, 높은 유전 상수뿐만 아니라 막 품질들을 갖는 커패시터 층 또는 게이트 절연 층으로서 사용될 수 있는 하이브리드 막 스택을 형성하는 방법들을 제공한다.일 실시예에서, 박막 트랜지스터 구조는, 기판 상에 형성되는 게이트, 소스, 및 드레인 전극들; 및 기판 상에 형성되는 절연 층을 포함하며, 절연 층은, 게이트, 소스, 및 드레인 전극들 위 또는 아래에 형성된 계면 층 상에 배치되는 지르코늄 함유 재료를 포함하는 유전체 층을 갖는 하이브리드 막 스택이다.
